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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > CSD19533Q5AT
CSD19533Q5AT
Modèle de produit:
CSD19533Q5AT
Fabricant:
La description:
MOSFET N-CH 100V 100A VSONP
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
17675 Pieces
Fiche technique:
CSD19533Q5AT.pdf
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introduction

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Spécifications

Vgs (th) (Max) @ Id:3.4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:8-VSONP (5x6)
Séries:NexFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:9.4 mOhm @ 13A, 6V
Dissipation de puissance (max):3.2W (Ta), 96W (Tc)
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:8-PowerTDFN
Autres noms:296-44472-2
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:7 Weeks
Référence fabricant:CSD19533Q5AT
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:2670pF @ 50V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:35nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Description élargie:N-Channel 100V 100A (Ta) 3.2W (Ta), 96W (Tc) Surface Mount 8-VSONP (5x6)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):6V, 10V
Tension drain-source (Vdss):100V
La description:MOSFET N-CH 100V 100A VSONP
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:100A (Ta)
Email:[email protected]

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