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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > CSD19533KCS
CSD19533KCS
Modèle de produit:
CSD19533KCS
Fabricant:
La description:
MOSFET N-CH 100V 86A TO220-3
État sans plomb / État RoHS:
Demande de vérification d'inventaire / conforme RoHS
quantité disponible:
18898 Pieces
Fiche technique:
CSD19533KCS.pdf
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introduction

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Spécifications

Vgs (th) (Max) @ Id:3.4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:TO-220-3
Séries:NexFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:10.5 mOhm @ 55A, 10V
Dissipation de puissance (max):188W (Tc)
Emballage:Tube
Package / Boîte:TO-220-3
Autres noms:296-37482-5
CSD19533KCS-ND
Température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:20 Weeks
Référence fabricant:CSD19533KCS
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:2670pF @ 50V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:35nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Description élargie:N-Channel 100V 100A (Ta) 188W (Tc) Through Hole TO-220-3
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):6V, 10V
Tension drain-source (Vdss):100V
La description:MOSFET N-CH 100V 86A TO220-3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:100A (Ta)
Email:[email protected]

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