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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > CSD19506KCS
CSD19506KCS
Modèle de produit:
CSD19506KCS
Fabricant:
La description:
MOSFET N-CH 80V TO-220-3
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
17083 Pieces
Fiche technique:
CSD19506KCS.pdf
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Spécifications

Vgs (th) (Max) @ Id:3.2V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:TO-220-3
Séries:NexFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:2.3 mOhm @ 100A, 10V
Dissipation de puissance (max):375W (Tc)
Emballage:Tube
Package / Boîte:TO-220-3
Autres noms:296-37169-5
Température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:20 Weeks
Référence fabricant:CSD19506KCS
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:12200pF @ 40V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:156nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Description élargie:N-Channel 80V 100A (Ta) 375W (Tc) Through Hole TO-220-3
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):6V, 10V
Tension drain-source (Vdss):80V
La description:MOSFET N-CH 80V TO-220-3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:100A (Ta)
Email:[email protected]

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