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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > CSD19501KCS
CSD19501KCS
Modèle de produit:
CSD19501KCS
Fabricant:
La description:
MOSFET N-CH 80V 100A TO220
État sans plomb / État RoHS:
Contient du plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
19994 Pieces
Fiche technique:
CSD19501KCS.pdf
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Spécifications

Vgs (th) (Max) @ Id:3.2V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:TO-220-3
Séries:NexFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:6.6 mOhm @ 60A, 10V
Dissipation de puissance (max):217W (Tc)
Emballage:Tube
Package / Boîte:TO-220-3
Autres noms:296-37286-5
CSD19501KCS-ND
Température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:6 Weeks
Référence fabricant:CSD19501KCS
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:3980pF @ 40V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:50nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Description élargie:N-Channel 80V 100A (Ta) 217W (Tc) Through Hole TO-220-3
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):6V, 10V
Tension drain-source (Vdss):80V
La description:MOSFET N-CH 80V 100A TO220
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:100A (Ta)
Email:[email protected]

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