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Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.4V @ 250µA |
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La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
Package composant fournisseur: | TO-220-3 |
Séries: | NexFET™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 2 mOhm @ 100A, 10V |
Dissipation de puissance (max): | 300W (Tc) |
Emballage: | Tube |
Package / Boîte: | TO-220-3 |
Température de fonctionnement: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage: | Through Hole |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
Délai de livraison standard du fabricant: | 20 Weeks |
Référence fabricant: | CSD18535KCS |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 6620pF @ 30V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 81nC @ 10V |
type de FET: | N-Channel |
Fonction FET: | - |
Description élargie: | N-Channel 60V 200A (Ta) 300W (Tc) Through Hole TO-220-3 |
Tension drain-source (Vdss): | 60V |
La description: | MOSFET N-CH 60V 200A TO-220-3 |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 200A (Ta) |
Email: | [email protected] |