CSD17312Q5
Modèle de produit:
CSD17312Q5
Fabricant:
La description:
MOSFET N-CH 30V 100A 8SON
État sans plomb / État RoHS:
Contient du plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
12113 Pieces
Fiche technique:
CSD17312Q5.pdf

introduction

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Spécifications

Vgs (th) (Max) @ Id:1.5V @ 250µA
Vgs (Max):+10V, -8V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:8-VSON-CLIP (5x6)
Séries:NexFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:1.5 mOhm @ 35A, 8V
Dissipation de puissance (max):3.2W (Ta)
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:8-PowerTDFN
Autres noms:296-27613-2
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:25 Weeks
Référence fabricant:CSD17312Q5
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:5240pF @ 15V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:36nC @ 4.5V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Description élargie:N-Channel 30V 38A (Ta), 100A (Tc) 3.2W (Ta) Surface Mount 8-VSON-CLIP (5x6)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):3V, 8V
Tension drain-source (Vdss):30V
La description:MOSFET N-CH 30V 100A 8SON
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:38A (Ta), 100A (Tc)
Email:[email protected]

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