Acheter C3D08060G avec BYCHPS
Acheter avec garantie
C3D08060G
- Modèle de produit:
- C3D08060G
- Fabricant:
- Cree
- La description:
- DIODE SCHOTTKY 600V 8A TO263-2
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 20209 Pieces
- Fiche technique:
- C3D08060G.pdf
introduction
BYCHIPS est le distributeur de bas pour C3D08060G, nous avons les stocks pour l'expédition immédiate et également disponible pour l'approvisionnement à long terme. S'il vous plaît envoyez-nous votre plan d'achat pour C3D08060G par email, nous vous donnerons un meilleur prix selon votre plan.
Spécifications
| Tension - directe (Vf) (max) @ Si: | 1.8V @ 8A |
|---|---|
| Tension - inverse (Vr) (max): | 600V |
| Package composant fournisseur: | TO-263-2 |
| La vitesse: | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Séries: | Z-Rec® |
| Temps de recouvrement inverse (trr): | 0ns |
| Emballage: | Tube |
| Package / Boîte: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Température d'utilisation - Jonction: | -55°C ~ 175°C |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 4 Weeks |
| Référence fabricant: | C3D08060G |
| Description élargie: | Diode Silicon Carbide Schottky 600V 8A (DC) Surface Mount TO-263-2 |
| Type de diode: | Silicon Carbide Schottky |
| La description: | DIODE SCHOTTKY 600V 8A TO263-2 |
| Courant - fuite, inverse à Vr: | 50µA @ 600V |
| Courant - Rectifié moyenne (Io): | 8A (DC) |
| Capacité à Vr, F: | 441pF @ 0V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
pièces connexes C3D08060G
| image | Modèle de produit | Fabricant | La description | Vue |
|---|---|---|---|---|
 |
C3D08065I | Cree/Wolfspeed | DIODE SCHOTTKY 650V 8A TO220-2 | Enquête |
 |
C3D08065A | Cree/Wolfspeed | DIODE SCHOTTKY 650V 8A TO220-2 | Enquête |
|
C3D08060A | Cree/Wolfspeed | DIODE SCHOTTKY 600V 8A TO220-2 | Enquête |
 |
C3D08060G-TR | Cree/Wolfspeed | DIODE SCHOTTKY 600V 20A TO263-2 | Enquête |
 |
SF4002-TAP | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE AVAL 1A 100V SOD-57 | Enquête |
 |
C3D08065E | Cree/Wolfspeed | DIODE SCHOTTKY 650V 25.5A TO252 | Enquête |
 |
EU02V0 | Sanken | DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL | Enquête |
|
EM01AV | Sanken | DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL | Enquête |
Latest Nouvelles
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog