APTM20DHM10G
Modèle de produit:
APTM20DHM10G
Fabricant:
Microsemi
La description:
MOSFET 2N-CH 200V 175A SP6
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
14341 Pieces
Fiche technique:
APTM20DHM10G.pdf

introduction

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Spécifications

Vgs (th) (Max) @ Id:5V @ 5mA
Package composant fournisseur:SP6
Séries:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:12 mOhm @ 87.5A, 10V
Puissance - Max:694W
Emballage:Bulk
Package / Boîte:SP6
Température de fonctionnement:-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Chassis Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Référence fabricant:APTM20DHM10G
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:13700pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:224nC @ 10V
type de FET:2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Fonction FET:Standard
Description élargie:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 200V 175A 694W Chassis Mount SP6
Tension drain-source (Vdss):200V
La description:MOSFET 2N-CH 200V 175A SP6
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:175A
Email:[email protected]

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