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APTM20DAM05G
- Modèle de produit:
- APTM20DAM05G
- Fabricant:
- Microsemi
- La description:
- MOSFET N-CH 200V 317A SP6
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 18703 Pieces
- Fiche technique:
- 1.APTM20DAM05G.pdf2.APTM20DAM05G.pdf
introduction
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Spécifications
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 5V @ 10mA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±30V |
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur: | SP6 |
| Séries: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 6 mOhm @ 158.5A, 10V |
| Dissipation de puissance (max): | 1136W (Tc) |
| Emballage: | Bulk |
| Package / Boîte: | SP6 |
| Température de fonctionnement: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Chassis Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 22 Weeks |
| Référence fabricant: | APTM20DAM05G |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 27400pF @ 25V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 448nC @ 10V |
| type de FET: | N-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Description élargie: | N-Channel 200V 317A 1136W (Tc) Chassis Mount SP6 |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 10V |
| Tension drain-source (Vdss): | 200V |
| La description: | MOSFET N-CH 200V 317A SP6 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 317A |
| Email: | [email protected] |
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