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APTM120A80FT1G
- Modèle de produit:
- APTM120A80FT1G
- Fabricant:
- Microsemi
- La description:
- MOSFET 2N-CH 1200V 14A SP1
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 14671 Pieces
- Fiche technique:
- 1.APTM120A80FT1G.pdf2.APTM120A80FT1G.pdf
introduction
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Spécifications
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 5V @ 2.5mA |
|---|---|
| Package composant fournisseur: | SP1 |
| Séries: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 960 mOhm @ 12A, 10V |
| Puissance - Max: | 357W |
| Emballage: | Bulk |
| Package / Boîte: | SP1 |
| Température de fonctionnement: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Chassis Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Référence fabricant: | APTM120A80FT1G |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 6696pF @ 25V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 260nC @ 10V |
| type de FET: | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Fonction FET: | Standard |
| Description élargie: | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1200V (1.2kV) 14A 357W Chassis Mount SP1 |
| Tension drain-source (Vdss): | 1200V (1.2kV) |
| La description: | MOSFET 2N-CH 1200V 14A SP1 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 14A |
| Email: | [email protected] |
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