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APTM100A12STG
- Modèle de produit:
- APTM100A12STG
- Fabricant:
- Microsemi
- La description:
- MOSFET 2N-CH 1000V 68A LP8W
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 16955 Pieces
- Fiche technique:
- APTM100A12STG.pdf
introduction
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Spécifications
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 5V @ 10mA |
|---|---|
| Package composant fournisseur: | SP3 |
| Séries: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 120 mOhm @ 34A, 10V |
| Puissance - Max: | 1250W |
| Emballage: | Bulk |
| Package / Boîte: | SP3 |
| Température de fonctionnement: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Chassis Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Référence fabricant: | APTM100A12STG |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 17400pF @ 25V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 616nC @ 10V |
| type de FET: | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Fonction FET: | Standard |
| Description élargie: | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1000V (1kV) 68A 1250W Chassis Mount SP3 |
| Tension drain-source (Vdss): | 1000V (1kV) |
| La description: | MOSFET 2N-CH 1000V 68A LP8W |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 68A |
| Email: | [email protected] |
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