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APTC90DAM60CT1G
- Modèle de produit:
- APTC90DAM60CT1G
- Fabricant:
- Microsemi
- La description:
- MOSFET N-CH 900V 59A SP1
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 15135 Pieces
- Fiche technique:
- APTC90DAM60CT1G.pdf
introduction
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Spécifications
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 3.5V @ 6mA |
|---|---|
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur: | SP1 |
| Séries: | CoolMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 60 mOhm @ 52A, 10V |
| Dissipation de puissance (max): | 462W (Tc) |
| Emballage: | Bulk |
| Package / Boîte: | SP1 |
| Température de fonctionnement: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Chassis Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 22 Weeks |
| Référence fabricant: | APTC90DAM60CT1G |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 13600pF @ 100V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 540nC @ 10V |
| type de FET: | N-Channel |
| Fonction FET: | Super Junction |
| Description élargie: | N-Channel 900V 59A 462W (Tc) Chassis Mount SP1 |
| Tension drain-source (Vdss): | 900V |
| La description: | MOSFET N-CH 900V 59A SP1 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 59A |
| Email: | [email protected] |
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