APT9F100S
APT9F100S
Modèle de produit:
APT9F100S
Fabricant:
Microsemi
La description:
MOSFET N-CH 1000V 9A D3PAK
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
18383 Pieces
Fiche technique:
APT9F100S.pdf

introduction

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Spécifications

Vgs (th) (Max) @ Id:5V @ 1mA
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:D3Pak
Séries:POWER MOS 8™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:1.6 Ohm @ 5A, 10V
Dissipation de puissance (max):337W (Tc)
Emballage:Tube
Package / Boîte:TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Référence fabricant:APT9F100S
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:2606pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:80nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Description élargie:N-Channel 1000V (1kV) 9A (Tc) 337W (Tc) Surface Mount D3Pak
Tension drain-source (Vdss):1000V (1kV)
La description:MOSFET N-CH 1000V 9A D3PAK
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:9A (Tc)
Email:[email protected]

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