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Vgs (th) (Max) @ Id: | 5V @ 1mA |
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La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
Package composant fournisseur: | D3Pak |
Séries: | POWER MOS 8™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 1.6 Ohm @ 5A, 10V |
Dissipation de puissance (max): | 337W (Tc) |
Emballage: | Tube |
Package / Boîte: | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage: | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
Référence fabricant: | APT9F100S |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 2606pF @ 25V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 80nC @ 10V |
type de FET: | N-Channel |
Fonction FET: | - |
Description élargie: | N-Channel 1000V (1kV) 9A (Tc) 337W (Tc) Surface Mount D3Pak |
Tension drain-source (Vdss): | 1000V (1kV) |
La description: | MOSFET N-CH 1000V 9A D3PAK |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 9A (Tc) |
Email: | [email protected] |