APT58MJ50J
Modèle de produit:
APT58MJ50J
Fabricant:
Microsemi
La description:
MOSFET N-CH 500V 58A ISOTOP
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
18413 Pieces
Fiche technique:
APT58MJ50J.pdf

introduction

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Spécifications

Vgs (th) (Max) @ Id:5V @ 2.5mA
Vgs (Max):±30V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:ISOTOP®
Séries:POWER MOS 8™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:65 mOhm @ 42A, 10V
Dissipation de puissance (max):540W (Tc)
Emballage:Tube
Package / Boîte:SOT-227-4, miniBLOC
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Chassis Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Référence fabricant:APT58MJ50J
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:13500pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:340nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Description élargie:N-Channel 500V 58A (Tc) 540W (Tc) Chassis Mount ISOTOP®
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):10V
Tension drain-source (Vdss):500V
La description:MOSFET N-CH 500V 58A ISOTOP
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:58A (Tc)
Email:[email protected]

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