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APT50GP60B2DQ2G
- Modèle de produit:
- APT50GP60B2DQ2G
- Fabricant:
- Microsemi
- La description:
- IGBT 600V 150A 625W TMAX
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 19408 Pieces
- Fiche technique:
- APT50GP60B2DQ2G.pdf
introduction
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Spécifications
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max): | 600V |
|---|---|
| Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic: | 2.7V @ 15V, 50A |
| Condition de test: | 400V, 50A, 4.3 Ohm, 15V |
| Td (marche / arrêt) à 25 ° C: | 19ns/85ns |
| énergie de commutation: | 465µJ (on), 635µJ (off) |
| Séries: | POWER MOS 7® |
| Puissance - Max: | 625W |
| Emballage: | Tube |
| Package / Boîte: | TO-247-3 Variant |
| Autres noms: | APT50GP60B2DQ2GMI APT50GP60B2DQ2GMI-ND |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Référence fabricant: | APT50GP60B2DQ2G |
| Type d'entrée: | Standard |
| type de IGBT: | PT |
| gate charge: | 165nC |
| Description élargie: | IGBT PT 600V 150A 625W Through Hole |
| La description: | IGBT 600V 150A 625W TMAX |
| Courant - Collecteur pulsée (Icm): | 190A |
| Courant - Collecteur (Ic) (max): | 150A |
| Email: | [email protected] |
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