APT50GN120L2DQ2G
APT50GN120L2DQ2G
Modèle de produit:
APT50GN120L2DQ2G
Fabricant:
Microsemi
La description:
IGBT 1200V 134A 543W TO264
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
13618 Pieces
Fiche technique:
1.APT50GN120L2DQ2G.pdf2.APT50GN120L2DQ2G.pdf

introduction

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Spécifications

Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):1200V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic:2.1V @ 15V, 50A
Condition de test:800V, 50A, 2.2 Ohm, 15V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C:28ns/320ns
énergie de commutation:4495µJ (off)
Séries:-
Puissance - Max:543W
Emballage:Tube
Package / Boîte:TO-264-3, TO-264AA
Autres noms:APT50GN120L2DQ2GMI
APT50GN120L2DQ2GMI-ND
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:22 Weeks
Référence fabricant:APT50GN120L2DQ2G
Type d'entrée:Standard
type de IGBT:NPT, Trench Field Stop
gate charge:315nC
Description élargie:IGBT NPT, Trench Field Stop 1200V 134A 543W Through Hole
La description:IGBT 1200V 134A 543W TO264
Courant - Collecteur pulsée (Icm):150A
Courant - Collecteur (Ic) (max):134A
Email:[email protected]

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