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APT5010B2FLLG
- Modèle de produit:
- APT5010B2FLLG
- Fabricant:
- Microsemi
- La description:
- MOSFET N-CH 500V 46A T-MAX
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 15182 Pieces
- Fiche technique:
- 1.APT5010B2FLLG.pdf2.APT5010B2FLLG.pdf
introduction
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Spécifications
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 5V @ 2.5mA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±30V |
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur: | T-MAX™ [B2] |
| Séries: | POWER MOS 7® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 100 mOhm @ 23A, 10V |
| Dissipation de puissance (max): | 520W (Tc) |
| Emballage: | Tube |
| Package / Boîte: | TO-247-3 Variant |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 22 Weeks |
| Référence fabricant: | APT5010B2FLLG |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 4360pF @ 25V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 95nC @ 10V |
| type de FET: | N-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Description élargie: | N-Channel 500V 46A (Tc) 520W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2] |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 10V |
| Tension drain-source (Vdss): | 500V |
| La description: | MOSFET N-CH 500V 46A T-MAX |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 46A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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