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| Vgs (th) (Max) @ Id: | 3V @ 1mA (Typ) |
|---|---|
| Vgs (Max): | +25V, -10V |
| La technologie: | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Package composant fournisseur: | TO-247 |
| Séries: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 100 mOhm @ 20A, 20V |
| Dissipation de puissance (max): | 273W (Tc) |
| Emballage: | Bulk |
| Package / Boîte: | TO-247-3 |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage: | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 22 Weeks |
| Référence fabricant: | APT40SM120B |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 2560pF @ 1000V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 130nC @ 20V |
| type de FET: | N-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Description élargie: | N-Channel 1200V (1.2kV) 41A (Tc) 273W (Tc) Through Hole TO-247 |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 20V |
| Tension drain-source (Vdss): | 1200V (1.2kV) |
| La description: | MOSFET N-CH 1200V 41A TO247 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 41A (Tc) |
| Email: | [email protected] |