APT26F120B2
APT26F120B2
Modèle de produit:
APT26F120B2
Fabricant:
Microsemi
La description:
MOSFET N-CH 1200V 27A T-MAX
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
18539 Pieces
Fiche technique:
1.APT26F120B2.pdf2.APT26F120B2.pdf

introduction

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Spécifications

Vgs (th) (Max) @ Id:5V @ 2.5mA
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:T-MAX™
Séries:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:650 mOhm @ 14A, 10V
Dissipation de puissance (max):1135W (Tc)
Emballage:Tube
Package / Boîte:TO-247-3 Variant
Autres noms:APT26F120B2MI
APT26F120B2MI-ND
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:22 Weeks
Référence fabricant:APT26F120B2
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:9670pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:300nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Description élargie:N-Channel 1200V (1.2kV) 27A (Tc) 1135W (Tc) Through Hole T-MAX™
Tension drain-source (Vdss):1200V (1.2kV)
La description:MOSFET N-CH 1200V 27A T-MAX
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:27A (Tc)
Email:[email protected]

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