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Vgs (th) (Max) @ Id: | 5V @ 1mA |
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Vgs (Max): | ±30V |
La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
Package composant fournisseur: | TO-247 [B] |
Séries: | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 500 mOhm @ 12A, 10V |
Dissipation de puissance (max): | 625W (Tc) |
Emballage: | Tube |
Package / Boîte: | TO-247-3 |
Autres noms: | APT22F80BMI APT22F80BMI-ND |
Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage: | Through Hole |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
Délai de livraison standard du fabricant: | 22 Weeks |
Référence fabricant: | APT22F80B |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 4595pF @ 25V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 150nC @ 10V |
type de FET: | N-Channel |
Fonction FET: | - |
Description élargie: | N-Channel 800V 23A (Tc) 625W (Tc) Through Hole TO-247 [B] |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 10V |
Tension drain-source (Vdss): | 800V |
La description: | MOSFET N-CH 800V 22A TO-247 |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 23A (Tc) |
Email: | [email protected] |