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APT20M19JVR
- Modèle de produit:
- APT20M19JVR
- Fabricant:
- Microsemi
- La description:
- MOSFET N-CH 200V 112A SOT-227
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 13767 Pieces
- Fiche technique:
- APT20M19JVR.pdf
introduction
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Spécifications
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 1mA |
|---|---|
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur: | ISOTOP® |
| Séries: | POWER MOS V® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 19 mOhm @ 500mA, 10V |
| Dissipation de puissance (max): | 500W (Tc) |
| Emballage: | Tube |
| Package / Boîte: | SOT-227-4, miniBLOC |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Chassis Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Référence fabricant: | APT20M19JVR |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 11640pF @ 25V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 495nC @ 10V |
| type de FET: | N-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Description élargie: | N-Channel 200V 112A 500W (Tc) Chassis Mount ISOTOP® |
| Tension drain-source (Vdss): | 200V |
| La description: | MOSFET N-CH 200V 112A SOT-227 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 112A |
| Email: | [email protected] |
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