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| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 5mA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±30V |
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur: | ISOTOP® |
| Séries: | POWER MOS V® |
| Dissipation de puissance (max): | 700W (Tc) |
| Emballage: | Tube |
| Package / Boîte: | SOT-227-4, miniBLOC |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Chassis Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Référence fabricant: | APT10M07JVR |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 21600pF @ 25V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 1050nC @ 10V |
| type de FET: | N-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Description élargie: | N-Channel 100V 225A (Tc) 700W (Tc) Chassis Mount ISOTOP® |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 10V |
| Tension drain-source (Vdss): | 100V |
| La description: | MOSFET N-CH 100V 225A ISOTOP |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 225A (Tc) |
| Email: | [email protected] |