AOW296
Modèle de produit:
AOW296
Fabricant:
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
La description:
MOSFET N-CH 100V TO262
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
16195 Pieces
Fiche technique:
AOW296.pdf

introduction

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Spécifications

Vgs (th) (Max) @ Id:3.4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:TO-262
Séries:AlphaSGT™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:9.7 mOhm @ 20A, 10V
Dissipation de puissance (max):104W (Tc)
Emballage:Tube
Package / Boîte:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Référence fabricant:AOW296
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:2785pF @ 50V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:52nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Description élargie:N-Channel 100V 70A (Tc) 104W (Tc) Through Hole TO-262
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):6V, 10V
Tension drain-source (Vdss):100V
La description:MOSFET N-CH 100V TO262
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:70A (Tc)
Email:[email protected]

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