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Vgs (th) (Max) @ Id: | 5.1V @ 250µA |
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Vgs (Max): | ±20V |
La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
Package composant fournisseur: | TO-262 |
Séries: | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 10.7 mOhm @ 20A, 10V |
Dissipation de puissance (max): | 6.2W (Ta), 277W (Tc) |
Emballage: | Tube |
Package / Boîte: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Autres noms: | 785-1728-5 |
Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage: | Through Hole |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
Référence fabricant: | AOW2502 |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 3010pF @ 75V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 60nC @ 10V |
type de FET: | N-Channel |
Fonction FET: | - |
Description élargie: | N-Channel 150V 16A (Ta), 106A (Tc) 6.2W (Ta), 277W (Tc) Through Hole TO-262 |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 10V |
Tension drain-source (Vdss): | 150V |
La description: | MOSFET NCH 150V 106A TO262 |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 16A (Ta), 106A (Tc) |
Email: | [email protected] |