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Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.7V @ 250µA |
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La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
Package composant fournisseur: | TO-220 |
Séries: | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 11.5 mOhm @ 30A, 10V |
Dissipation de puissance (max): | 1.9W (Ta), 79W (Tc) |
Emballage: | Tube |
Package / Boîte: | TO-220-3 |
Température de fonctionnement: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage: | Through Hole |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
Référence fabricant: | AOT502 |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 1450pF @ 15V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 28nC @ 10V |
type de FET: | N-Channel |
Fonction FET: | - |
Description élargie: | N-Channel 33V 9A (Ta), 60A (Tc) 1.9W (Ta), 79W (Tc) Through Hole TO-220 |
Tension drain-source (Vdss): | 33V |
La description: | MOSFET N-CH 33V 9A TO220 |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 9A (Ta), 60A (Tc) |
Email: | [email protected] |