AOT502
Modèle de produit:
AOT502
Fabricant:
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
La description:
MOSFET N-CH 33V 9A TO220
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
12010 Pieces
Fiche technique:
1.AOT502.pdf2.AOT502.pdf

introduction

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Spécifications

Vgs (th) (Max) @ Id:2.7V @ 250µA
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:TO-220
Séries:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:11.5 mOhm @ 30A, 10V
Dissipation de puissance (max):1.9W (Ta), 79W (Tc)
Emballage:Tube
Package / Boîte:TO-220-3
Température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Référence fabricant:AOT502
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:1450pF @ 15V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:28nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Description élargie:N-Channel 33V 9A (Ta), 60A (Tc) 1.9W (Ta), 79W (Tc) Through Hole TO-220
Tension drain-source (Vdss):33V
La description:MOSFET N-CH 33V 9A TO220
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:9A (Ta), 60A (Tc)
Email:[email protected]

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