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AOT410L
- Modèle de produit:
- AOT410L
- Fabricant:
- Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
- La description:
- MOSFET N-CH 100V 150A TO-220
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 17861 Pieces
- Fiche technique:
- 1.AOT410L.pdf2.AOT410L.pdf
introduction
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Spécifications
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±25V |
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur: | TO-220 |
| Séries: | SDMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 6.5 mOhm @ 20A, 10V |
| Dissipation de puissance (max): | 1.9W (Ta), 333W (Tc) |
| Emballage: | Tube |
| Package / Boîte: | TO-220-3 |
| Autres noms: | 785-1237-5 |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage: | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 16 Weeks |
| Référence fabricant: | AOT410L |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 7950pF @ 50V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 129nC @ 10V |
| type de FET: | N-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Description élargie: | N-Channel 100V 12A (Ta), 150A (Tc) 1.9W (Ta), 333W (Tc) Through Hole TO-220 |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 7V, 10V |
| Tension drain-source (Vdss): | 100V |
| La description: | MOSFET N-CH 100V 150A TO-220 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 12A (Ta), 150A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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