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Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.2V @ 250µA |
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La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
Package composant fournisseur: | 8-DFN-EP (3.3x3.3) |
Séries: | AlphaMOS |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 2 mOhm @ 20A, 10V |
Dissipation de puissance (max): | 4.1W (Ta), 34.5W (Tc) |
Emballage: | Tape & Reel (TR) |
Package / Boîte: | 8-PowerWDFN |
Autres noms: | 785-1681-2 |
Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage: | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
Référence fabricant: | AON7760 |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 5520pF @ 12.5V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 76nC @ 10V |
type de FET: | N-Channel |
Fonction FET: | - |
Description élargie: | N-Channel 25V 33A (Ta), 75A (Tc) 4.1W (Ta), 34.5W (Tc) Surface Mount 8-DFN-EP (3.3x3.3) |
Tension drain-source (Vdss): | 25V |
La description: | MOSFET N-CH 25V 75A 8DFN |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 33A (Ta), 75A (Tc) |
Email: | [email protected] |