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AON6532P
- Modèle de produit:
- AON6532P
- Fabricant:
- Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
- La description:
- MOSFET N-CH DFN
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 19970 Pieces
- Fiche technique:
- AON6532P.pdf
introduction
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Spécifications
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 710mV @ 1A |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Séries: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 4.1 mOhm @ 20A, 10V |
| Dissipation de puissance (max): | 35.7W (Tc) |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Référence fabricant: | AON6532P |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 1080pF @ 15V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 17.2nC @ 10V |
| type de FET: | N-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Description élargie: | N-Channel 30V 68A 35.7W (Tc) Surface Mount |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 10V |
| Tension drain-source (Vdss): | 30V |
| La description: | MOSFET N-CH DFN |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 68A |
| Email: | [email protected] |
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