AOB1100L
AOB1100L
Modèle de produit:
AOB1100L
Fabricant:
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
La description:
MOSFET N-CH 100V 8A TO263
État sans plomb / État RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
quantité disponible:
17696 Pieces
Fiche technique:
1.AOB1100L.pdf2.AOB1100L.pdf

introduction

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Spécifications

Vgs (th) (Max) @ Id:3.8V @ 250µA
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:TO-263 (D²Pak)
Séries:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:11.7 mOhm @ 20A, 10V
Dissipation de puissance (max):2.1W (Ta), 500W (Tc)
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Autres noms:785-1319-2
Température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:16 Weeks
Référence fabricant:AOB1100L
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:4833pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:100nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Description élargie:N-Channel 100V 8A (Ta), 130A (Tc) 2.1W (Ta), 500W (Tc) Surface Mount TO-263 (D²Pak)
Tension drain-source (Vdss):100V
La description:MOSFET N-CH 100V 8A TO263
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:8A (Ta), 130A (Tc)
Email:[email protected]

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