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2SB1260T100R
- Modèle de produit:
- 2SB1260T100R
- Fabricant:
- LAPIS Semiconductor
- La description:
- TRANS PNP 80V 1A SOT-89
- État sans plomb / État RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- quantité disponible:
- 18672 Pieces
- Fiche technique:
- 2SB1260T100R.pdf
introduction
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Spécifications
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max): | 80V |
|---|---|
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: | 400mV @ 50mA, 500mA |
| Transistor Type: | PNP |
| Package composant fournisseur: | MPT3 |
| Séries: | - |
| Puissance - Max: | 2W |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | TO-243AA |
| Autres noms: | 2SB1260T100R-ND 2SB1260T100RTR |
| Température de fonctionnement: | 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Référence fabricant: | 2SB1260T100R |
| Fréquence - Transition: | 100MHz |
| Description élargie: | Bipolar (BJT) Transistor PNP 80V 1A 100MHz 2W Surface Mount MPT3 |
| La description: | TRANS PNP 80V 1A SOT-89 |
| Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 180 @ 100mA, 3V |
| Courant - Collecteur Cutoff (Max): | 1µA (ICBO) |
| Courant - Collecteur (Ic) (max): | 1A |
| Email: | [email protected] |
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