2N6800
2N6800
Modèle de produit:
2N6800
Fabricant:
Microsemi
La description:
MOSFET N-CH 400V TO-205AF TO-39
État sans plomb / État RoHS:
Contient du plomb / Non conforme à RoHS
quantité disponible:
19460 Pieces
Fiche technique:
2N6800.pdf

introduction

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Spécifications

Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:TO-39
Séries:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:1 Ohm @ 2A, 10V
Dissipation de puissance (max):800mW (Ta), 25W (Tc)
Emballage:Bulk
Package / Boîte:TO-205AF Metal Can
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Référence fabricant:2N6800
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:-
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:5.75nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Description élargie:N-Channel 400V 3A (Tc) 800mW (Ta), 25W (Tc) Through Hole TO-39
Tension drain-source (Vdss):400V
La description:MOSFET N-CH 400V TO-205AF TO-39
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:3A (Tc)
Email:[email protected]

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