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Vgs (th) (Max) @ Id: | 2V @ 1mA |
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Vgs (Max): | ±20V |
La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
Package composant fournisseur: | TO-39 |
Séries: | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 3 Ohm @ 1A, 10V |
Dissipation de puissance (max): | 6.25W (Tc) |
Emballage: | Bulk |
Package / Boîte: | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
Autres noms: | 2N6660MC |
Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage: | Through Hole |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
Délai de livraison standard du fabricant: | 19 Weeks |
Référence fabricant: | 2N6660 |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 50pF @ 24V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | - |
type de FET: | N-Channel |
Fonction FET: | - |
Description élargie: | N-Channel 60V 410mA (Ta) 6.25W (Tc) Through Hole TO-39 |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 5V, 10V |
Tension drain-source (Vdss): | 60V |
La description: | MOSFET N-CH 60V 0.41A TO39-3 |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 410mA (Ta) |
Email: | [email protected] |