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2N3636
- Modèle de produit:
- 2N3636
- Fabricant:
- Microsemi
- La description:
- TRANS PNP 175V 1A
- État sans plomb / État RoHS:
- Contient du plomb / Non conforme à RoHS
- quantité disponible:
- 12321 Pieces
- Fiche technique:
- 2N3636.pdf
introduction
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Spécifications
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max): | 175V |
|---|---|
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: | 600mV @ 5mA, 50mA |
| Transistor Type: | PNP |
| Package composant fournisseur: | TO-39 |
| Séries: | - |
| Puissance - Max: | 1W |
| Emballage: | Bulk |
| Package / Boîte: | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
| Autres noms: | 1086-20879 1086-20879-MIL |
| Température de fonctionnement: | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Type de montage: | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 22 Weeks |
| Référence fabricant: | 2N3636 |
| Fréquence - Transition: | - |
| Description élargie: | Bipolar (BJT) Transistor PNP 175V 1A 1W Through Hole TO-39 |
| La description: | TRANS PNP 175V 1A |
| Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 50 @ 50mA, 10V |
| Courant - Collecteur Cutoff (Max): | 10µA |
| Courant - Collecteur (Ic) (max): | 1A |
| Email: | [email protected] |
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