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2N3019
- Modèle de produit:
- 2N3019
- Fabricant:
- Microsemi
- La description:
- TRANS NPN 80V 1A TO-5
- État sans plomb / État RoHS:
- Contient du plomb / Non conforme à RoHS
- quantité disponible:
- 19168 Pieces
- Fiche technique:
- 2N3019.pdf
introduction
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Spécifications
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max): | 80V |
|---|---|
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: | 500mV @ 50mA, 500mA |
| Transistor Type: | NPN |
| Package composant fournisseur: | TO-5 |
| Séries: | - |
| Puissance - Max: | 800mW |
| Emballage: | Bulk |
| Package / Boîte: | TO-205AA, TO-5-3 Metal Can |
| Autres noms: | 2N3019MS |
| Température de fonctionnement: | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Type de montage: | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 22 Weeks |
| Référence fabricant: | 2N3019 |
| Fréquence - Transition: | - |
| Description élargie: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 80V 1A 800mW Through Hole TO-5 |
| La description: | TRANS NPN 80V 1A TO-5 |
| Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 50 @ 500mA, 10V |
| Courant - Collecteur Cutoff (Max): | 10µA (ICBO) |
| Courant - Collecteur (Ic) (max): | 1A |
| Email: | [email protected] |
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