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Spécifications
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max): | 50V |
|---|---|
| Transistor Type: | NPN |
| Package composant fournisseur: | 55BT-1 |
| Séries: | - |
| Puissance - Max: | 12W |
| Emballage: | Bulk |
| Package / Boîte: | 55BT-1 |
| Autres noms: | 2003MS |
| Température de fonctionnement: | 200°C (TJ) |
| Noise Figure (dB Typ @ f): | - |
| Type de montage: | Chassis Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Référence fabricant: | 2003 |
| Gain: | 8.5dB |
| Fréquence - Transition: | 2GHz |
| Description élargie: | RF Transistor NPN 50V 500mA 2GHz 12W Chassis Mount 55BT-1 |
| La description: | TRANS HBT RF BIPOLAR 55BT |
| Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 10 @ 100mA, 5V |
| Courant - Collecteur (Ic) (max): | 500mA |
| Email: | [email protected] |
pièces connexes 2003
| image | Modèle de produit | Fabricant | La description | Vue |
|---|---|---|---|---|
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2001 | Microsemi Corporation | TRANS HBT RF BIPOLAR 55BT | Enquête |
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BFG505,215 | NXP USA Inc. | TRANS NPN 6V 18MA SOT343N | Enquête |
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MRF559GT | Microsemi Corporation | COMM/BIPOLAR TRANSISTOR | Enquête |
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BFP 720FESD E6327 | Infineon Technologies | TRANS RF NPN 45GHZ 4.7V TSFP4 | Enquête |
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2SC5065-O(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS RF NPN 12V 1MHZ USM | Enquête |
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