2001
Modèle de produit:
2001
Fabricant:
Microsemi
La description:
TRANS HBT RF BIPOLAR 55BT
État sans plomb / État RoHS:
Contient du plomb / Non conforme à RoHS
quantité disponible:
16500 Pieces
Fiche technique:
2001.pdf

introduction

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Spécifications

Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):50V
Transistor Type:NPN
Package composant fournisseur:55BT
Séries:-
Puissance - Max:5W
Emballage:Bulk
Package / Boîte:55BT
Autres noms:2001MS
Température de fonctionnement:-
Noise Figure (dB Typ @ f):-
Type de montage:Chassis Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Référence fabricant:2001
Gain:9.5dB
Fréquence - Transition:2GHz
Description élargie:RF Transistor NPN 50V 250mA 2GHz 5W Chassis Mount 55BT
La description:TRANS HBT RF BIPOLAR 55BT
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce:20 @ 100mA, 5V
Courant - Collecteur (Ic) (max):250mA
Email:[email protected]

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