1N6631
1N6631
Modèle de produit:
1N6631
Fabricant:
Microsemi
La description:
DIODE GEN PURP 1.1KV 1.4A AXIAL
État sans plomb / État RoHS:
Contient du plomb / Non conforme à RoHS
quantité disponible:
16648 Pieces
Fiche technique:
1N6631.pdf

introduction

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Spécifications

Tension - directe (Vf) (max) @ Si:1.4V @ 1.4A
Tension - inverse (Vr) (max):1100V (1.1kV)
La vitesse:Fast Recovery = 200mA (Io)
Séries:-
Temps de recouvrement inverse (trr):60ns
Emballage:Bulk
Package / Boîte:A, Axial
Température d'utilisation - Jonction:-65°C ~ 150°C
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:17 Weeks
Référence fabricant:1N6631
Description élargie:Diode Standard 1100V (1.1kV) 1.4A Through Hole
Type de diode:Standard
La description:DIODE GEN PURP 1.1KV 1.4A AXIAL
Courant - fuite, inverse à Vr:4µA @ 1100V
Courant - Rectifié moyenne (Io):1.4A
Capacité à Vr, F:40pF @ 10V, 1MHz
Email:[email protected]

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