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1N5809
- Modèle de produit:
- 1N5809
- Fabricant:
- Microsemi
- La description:
- DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL
- État sans plomb / État RoHS:
- Contient du plomb / Non conforme à RoHS
- quantité disponible:
- 15824 Pieces
- Fiche technique:
- 1N5809.pdf
introduction
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Spécifications
| Tension - directe (Vf) (max) @ Si: | 875mV @ 4A |
|---|---|
| Tension - inverse (Vr) (max): | 100V |
| La vitesse: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Séries: | - |
| Temps de recouvrement inverse (trr): | 30ns |
| Emballage: | Bulk |
| Package / Boîte: | B, Axial |
| Température d'utilisation - Jonction: | -65°C ~ 175°C |
| Type de montage: | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 7 Weeks |
| Référence fabricant: | 1N5809 |
| Description élargie: | Diode Standard 100V 3A Through Hole |
| Type de diode: | Standard |
| La description: | DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL |
| Courant - fuite, inverse à Vr: | 5µA @ 100V |
| Courant - Rectifié moyenne (Io): | 3A |
| Capacité à Vr, F: | 60pF @ 10V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
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